Empfänger

Vorhabensthema

Fraunhofer-Institut f. Produktionstechnik u. Automatisierung (IPA)

01. Dez 1993 - 31. Mai 1996

Rapid Engineering von Verschleiss- und Korrosionsschutzschichten (FKZ: 13N6343)

Universität Kassel

01. Dez 1993 - 31. Jul 1995

Herstellung von trockengeätzten Si-Spitzen mit integriertem Detektorsystem (FKZ: 13N6354)

Technische Universität Clausthal-Zellerfeld, Institut f. Werkstoffkunde

01. Nov 1993 - 30. Nov 1997

Plasmaimmersionsionenimplantation metallischer Werkstoffe (FKZ: 13N6345)

Omicron, Taunusstein

01. Nov 1993 - 28. Dez 1995

[B]Nanostrukturierung mit SXM-Verfahren[/B] In diesem Vorhaben sollen i.w. die mechanische Strukturierung von Schichthalbleitern und die Modifikation von Molekülstrukturen an Fest-/Flüssig-Grenzflächen erforscht werden. Die Strukturierungsergebnisse und Prozessabläufe sollen direkt in die Entwicklung und Ansteuerung einer möglichen kommerziellen Apparatur einfließen. Langfristiges Ziel dieser Strukturierungsmethoden ist der Einsatz in der Datenspeicherung oder Strukturierung durch Selbstorganisationsphänomene. (Unterauftrag an Universitäten Mainz und Münster) (FKZ: 13N6277)

Universität Saarbrücken

10. Okt 1993 - 31. Dez 1995

Höchstauflösende Magnetkraftmikroskopie für die industrielle Applikation (FKZ: 13N6347)

Technische Univerität Berlin, Institut für Metallforschung

01. Okt 1993 - 30. Sep 1996

Elektrochrome Schichten auf UV-Transparenten Folien (FKZ: 13N6335)

Fraunhofer-Institut f. Produktionstechnik u. Automatisierung (IPA)

01. Okt 1993 - 30. Sep 1996

Verbundprojekt: Transparente und verschleißfeste Schichten auf Kunstoffplatten und Folien - Teilvorhaben: Verschleißfeste Beschichtung von Kunststoffplatten (FKZ: 13N6258)

ROWO Coating Gesellschaft f. Beschichtungstechnik mbH

01. Okt 1993 - 28. Feb 1997

Verbundprojekt: Transparente und verschleißfeste Schichten auf Kunstoffplatten und Folien - Teilvorhaben: Folienbeschichtung (FKZ: 13N6259)

Kunststofftechnik Bittner GmbH

01. Okt 1993 - 31. Mar 1996

Verbundprojekt: Entwicklung und Fertigung von Barriereschichten auf CFK für den Einsatz in Kryotanks - Teilvorhaben: Schichtentwicklung (FKZ: 13N6317)

ISATEC GmbH

01. Okt 1993 - 31. Mar 1996

Verbundprojekt: Entwicklung und Fertigung von Barriereschichten auf CFK für den Einsatz in Kryotanks - Teilvorhaben: Rechnergestützte Entwicklung und Optimierung (FKZ: 13N6318)

Universität der BW, München

01. Okt 1993 - 30. Jun 1995

Ein wesentlicher Knackpunkt von Strukturierungs- und Ausleseverfahren ist deren Schreib- und Lesegeschwindigkeit. Array-Anordnungen von Spitzen zur Parallelisierung der Vorgänge sind daher ein Hauptziel zukünftiger SXM-Entwicklungen. In diesem Vorhaben sollen die strukturgebenden Grundprozesse bei der Array-Spitzenherstellung untersucht werden und deren geometrische Grenzen. Durch Selbstorganisationsprozesse sollen hierzu verschiedene Verfahren der Materialabscheidung und der Materialkombination an Spitzen, Schneiden und Kapillaren ausprobiert werden. Aufbauend auf diesen ersten Untersuchungen ließen sich Experimente zur elektrischen Adressierung von Sondenarrays durchführen. (FKZ: 13N6344)

Universität Ulm

01. Okt 1993 - 28. Jun 1995

[B]Direkte Erzeugung von Nanometerstrukturen durch direkte Zersetzung von Precursorgasen im STM[/B] Elektronenstrahlinduzierte Prozesse sollen in Verbindung mit der Einlagerung von Dotierstoffen Materialabscheidungen mit variabler Leitfähigkeit generiert werden. Als Materialien für Nanostrukturen sollen i.w. Diamant und dotiertes Silizium abgeschieden werden (FKZ: 13N6322)

Universität München

01. Okt 1993 - 28. Jun 1995

[B]Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung nm-großer metallischer Leiterbahnen mit dem STM (Nanowiring)[/B] Mittels elektronenstrahlinduzierter CVD-Prozesse sollen verschiedenste Metalle auf Si-Substraten abgeschieden und auf ihre Leitfähigkeit untersucht werden. Die zu erzeugenden Leiterbahnen sollen Breiten im nm-Bereich und möglichst metallische Leitfähigkeit aufweisen. Anwendungsfelder sind Sonderstrukturierungen und die Reparatur von Strukturen. (FKZ: 13N6328)

Universität Hamburg

01. Okt 1993 - 28. Jan 1995

[B]Lokale Modifikation magnetischer Strukturen und Ladungsdichteverteilungen mittels SXM-Verfahren unter Umgebungsbedingungen[/B] Ferromagnetische Schichten lassen sich durch äußere Magnetfelder örtlich begrenzt beeinflussen und auch wieder zerstörungsfrei auslesen. Zudem sind diese Schichten löschbar. Ein anderer Ansatz geht von Schichtkombinationen aus (Nitrid-Oxid-Halbleiter-Schichtsysteme), welche durch lokale elektrische Felder Ladungsansammlungen zeigen und über längere Zeit stabil lokalisiert bleiben. Die Entwicklung langzeitlich stabiler und reversibler Schreibvorgänge sind ein Ziel dieser Thematik. Anwendungsfelder sind die binäre Datenspeicherung, aber auch z.B. direktes Drucken auf der sub-µm-Skala. (FKZ: 13N6276)

Universität Göttingen

01. Okt 1993 - 28. Sep 1995

[B]Nanostrukturen mit hohem Aspektverhältnis[/B] Nanostrukturen mit hohem Aspektverhältnis treten bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen mit verringerten Strukturgrößen sowie bei der Herstellung von 3D-Strukturen für die Bereiche Mikroelektronik und der Quantenelektronik auf. Das Gesamtziel des Vorhabens ist es, Nanostrukturen mit lateralen Strukturgrößen von < 100 nm und Aspektverhältnissen von > 10 herzustellen. Lithographisch erzeugte Muster sollen mit einer ECR-Anlage unter Verwendung von Mehrlevelverfahren in Nanostrukturen mit hohen Aspektverhältnissen umgewandelt werden. (FKZ: 13N6323)