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CVD
"Chemical Vapour Deposition". Das Schichtausgangsmaterial, das in Form einer leicht flüchtigen Verbindung vorliegt, wird evt. gemeinsam mit den Reaktionspartnern (meist im Vakuum) in die Dampfphase gebracht. Durch eine thermisch oder plasmatechnisch angeregte chemische Reaktion aus der Dampfphase schlagen sich Atome oder Moleküle am Substrat nieder und bilden die wachsende Schicht. I.a. sind hohe Beschichtungstemperaturen (typisch 1000° C, bei Plasma-CVD bis >400° C) notwendig. Dafür erreicht man dichte Schichten, Beschichtung von 3-D-Strukturen eher möglich als mit PVD. I.a. nur dünne Schichten (Dicke ~ µm) möglich. Anwendungen im Verschleißschutz und vor allem auch in der Halbleitertechnologie (Mikroelektronik, Solarzellen). Bei Werkzeugen ist aufgrund der hohen Beschichtungstemperaturen eine nachfolgende Wärmebehandlung notwendig.
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